Author: Hardware Upgrade
Dopo averla anticipata nei mesi scorsi e parlato della versione TLC, Western Digital e Kioxia hanno annunciato la loro memoria 3D NAND QLC di nuova generazione, meglio nota come BiCS8. Il minuscolo die, che sta sulla punta di un dito, offre 2 terabit di spazio di archiviazione, o se preferite l’equivalente di 256 GB di dati: un nuovo record per il settore.
Le due società, che da tempo collaborano e sono spesso in predicato di fondersi in un’unica entità (cosa ancora non avvenuta), avevano già raggiunto in passato una capacità di memoria record per die, con le BiCS4 da 1,33 terabit. Gli altri produttori si sono per ora fermati a un massimo di 1 terabit (128 GB) per die sia con la 3D NAND TLC che QLC.
Al momento scarseggiano altre specifiche tecniche, come la densità, ovvero i Gbit/mm2, ambito in cui eccelle la memoria V-NAND QLC V9 di Samsung che ha solo metà dello spazio di archiviazione ma con 28,5 Gbit/mm2 ha fissato un nuovo traguardo.
BiCS8 vs BiCS6
La nuova QLC BiCS8 offrirà anche maggiori prestazioni sia in termini di latenza di lettura che di throughput di scrittura. Allo stesso tempo, dovrebbero aumentare anche la resistenza e l’efficienza energetica in fase di scrittura.
Alla base di BiCS8 c’è la tecnologia CBA o se preferite “CMOS directly Bonded to Array”: su un wafer vengono realizzati gli strati di celle di memoria, nel caso specifico 218 layer, su un altro wafer i circuiti logici e solo successivamente i due vengono riuniti in un chip di memoria tramite wafer bonding. Un principio simile (Xtacking) è alla base delle memorie della cinese YMTC.
Al momento non è noto quando vedremo le memorie BiCS8 in commercio, quella di Kioxia è di fatti un’anticipazione e sarà necessaria come sempre una fase di sampling con alcuni clienti prima della produzione di massa.