Categoria: HardwareSoftware

Author: IlSoftware

Si torna a parlare di sicurezza di dati personali, di raccolta senza consenso e così via. E no, non c’entra nulla la tanto discussione funzione Recall che Microsoft si è vista costretta a posticipare. A questo giro è il turno di Apple e Google, multate in Corea del Sud per aver violato una legge sulla raccolta di dati, appunto.

Apple e Google tra le aziende multate in Corea del Sud, ma la situazione è poco chiara

La Commissione Coreana per le Comunicazioni (KCC) ha stabilito che Apple dovrà pagare una multa di 210 milioni di won (circa 153.000 dollari) per aver raccolto informazioni sulle posizioni degli utenti senza però il loro consenso. La stessa KCC ha comunicato che anche Google è stata condannata per una violazione simile, ma per Big G la multa è di soli 3 milioni di won, ovvero circa 2.179 dollari.

«Le informazioni sulla posizione sono una risorsa chiave per migliorare i benefici per gli utenti finali e per l’innovazione, ma dobbiamo considerare la protezione della privacy e della sicurezza sociale degli individui quando queste informazioni vengono utilizzate», ha spiegato Kim Hong-il, presidente della KCC.

Dal momento che si parla di attività di raccolta senza il consenso degli utenti, sarebbe stato utile ed interessante scoprire qualche dettaglio in più sulle violazioni di Apple e Google. Purtroppo però non sono chiari i motivi che hanno portato il KCC ad emettere queste sanzioni e non ci sono abbastanza pezzi (informazioni pubbliche) per comporre il puzzle.

Che poi in merito alla localizzazione, Apple è molto chiara: l’utente deve dare la propria autorizzazione.

La prima volta che un’app prova ad accedere alla tua posizione utilizzando la funzione Localizzazione, dovrà chiedere la tua autorizzazione. Viene visualizzata una richiesta indicante quale app chiede l’autorizzazione a usare la tua posizione e il motivo per cui lo sviluppatore dell’app ha creato questa richiesta.

Le multe inflitte ad Apple e Google sono irrisorie in termini economici, ma rischiano di mettere in cattiva luce le due aziende. E per il colosso di Cupertino sarebbe un danno non indifferente dal momento che i profitti proprio in Corea del Sud sono in forte crescita negli ultimi tempi.

Author: Hardware Upgrade

Dopo averla anticipata nei mesi scorsi e parlato della versione TLC, Western Digital e Kioxia hanno annunciato la loro memoria 3D NAND QLC di nuova generazione, meglio nota come BiCS8. Il minuscolo die, che sta sulla punta di un dito, offre 2 terabit di spazio di archiviazione, o se preferite l’equivalente di 256 GB di dati: un nuovo record per il settore.

Le due società, che da tempo collaborano e sono spesso in predicato di fondersi in un’unica entità (cosa ancora non avvenuta), avevano già raggiunto in passato una capacità di memoria record per die, con le BiCS4 da 1,33 terabit. Gli altri produttori si sono per ora fermati a un massimo di 1 terabit (128 GB) per die sia con la 3D NAND TLC che QLC.

Al momento scarseggiano altre specifiche tecniche, come la densità, ovvero i Gbit/mm2, ambito in cui eccelle la memoria V-NAND QLC V9 di Samsung che ha solo metà dello spazio di archiviazione ma con 28,5 Gbit/mm2 ha fissato un nuovo traguardo.

BiCS8 vs BiCS6

La nuova QLC BiCS8 offrirà anche maggiori prestazioni sia in termini di latenza di lettura che di throughput di scrittura. Allo stesso tempo, dovrebbero aumentare anche la resistenza e l’efficienza energetica in fase di scrittura.

Alla base di BiCS8 c’è la tecnologia CBA o se preferite “CMOS directly Bonded to Array”: su un wafer vengono realizzati gli strati di celle di memoria, nel caso specifico 218 layer, su un altro wafer i circuiti logici e solo successivamente i due vengono riuniti in un chip di memoria tramite wafer bonding. Un principio simile (Xtacking) è alla base delle memorie della cinese YMTC.

Al momento non è noto quando vedremo le memorie BiCS8 in commercio, quella di Kioxia è di fatti un’anticipazione e sarà necessaria come sempre una fase di sampling con alcuni clienti prima della produzione di massa.

Author: AnandTech

While Realtek is best known in the enthusiast space for for its peripheral controllers such as audio codecs and network controllers, the company also has a small-but-respectable SSD controller business that tends to fly under the radar due to its focus on entry-level and mainstream drives. But Realtek’s stature in the SSD space is on the rise, as the company is not only planning new PCIe Gen5 SSD controllers, but also their first high-end, DRAM-equipped SSD controller.

For this year’s Computex trade show, Realtek laid out a new SSD controller roadmap that calls for the company to release a trio of new SSD controllers over the next couple of years. First up is a new four-channel entry-level PCIe 4.0 controller, the RTS5776DL, which will be joined a bit later by a PCIe 5.0 variant, the RTS5781DL. But most interesting on Realtek’s new roadmap is the final chip being planned: the eight-channel, DRAM-equipped RTS5782, which would be the company’s first high-end SSD controller, capable of hitting sequential read rates as high as 14GB/second.

Realtek NVMe SSD Controller Comparison

 
RTS5782
RTS5781DL
RTS5776DL
RTS5772DL
RTS5766DL

Market Segment
High-End
Mainstream
Entry-Level

Error Correction
4K LDPC
2K LDPC

DRAM
DDR4, LPDDR4(X)
No
No
No
No

Host Interface
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
PCIe 3.0 x4

NVMe Version
NVMe 2.0
NVMe 2.0
NVMe 2.0
NVMe 1.4
NVMe 1.4

NAND Channels, Interface Speed
8 ch,
3600 MT/s
4 ch,
3600 MT/s
4 ch,
3600 MT/s
8 ch,
1600 MT/s
4 ch,
1200 MT/s

Sequential Read
14 GB/s
10 GB/s
7.4 GB/s
6 GB/s
3.2 GB/s

Sequential Write
12 GB/s
10 GB/s
7.4 GB/s
6 GB/s
2.2 GB/s

4KB Random Read IOPS
2500k
1400k
1200k
–
–

4KB Random Write IOPS
2500k
1400k
1200k
–
–

Diving a bit deeper into Realtek’s roadmap, the RTS5776DL is traditional DRAM-less PCIe Gen4 x4 controller with four NAND channels, and is aimed at entry-level drives. The controller’s NAND support is quite modern, however, supporting the latest ONFI/Toggle standards, which will allow it to hit NAND transfer rates up to 3600 MT/second. Across four channels, that’s enough bandwidth to fully saturate a PCIe 4.0 x4 connection with sequential read/writes, while random 4K IOPS can burst as high as 1.2 million. Engineering samples of the controller are set to emerge in Q4 2024, so do not expect actual drives based on this chip to emerge for sale until the second half of next year at the earliest.

Realtek is also preparing the RTS5781DL, which can be thought of as a PCIe 5.0 version of their DRAM-less controller platform. The RTS5781DL features the same four-channel NAND layout and 3600 MT/sec max NAND transfer rates, which with the additional bandwidth afforded by PCIe 5.0, shifts the performance bottleneck back to the NAND. Overall, Realtek expects drives with its first PCIe Gen5 SSD controller to hit sustained transfer rates up to 10GB/second, and up to 1.4 million random read/write IOPS. The company aims to make engineering samples of this controller available in the first quarter of 2025, so actual drives will hit the market in late 2025 at best.

Finally, the pinnacle of Realtek’s roadmap will be its RTS5782, which is the company’s first high-end SSD controller. Besides including support for on-drive DRAM (DDR4/LPDDR4X) for higher performance, the back-end of the RTS5782 will feature an eight NAND channel design that supports transfer rates up to 3600 MT/second. Drives built with the controller are expected to be able to sustain 14GB/second sequential read rates and 12GB/second sequential writes, while the 4K random IOPS performance jumps to 2.5 million 4K read and write IOPS.

Unfortunately, the RTS5782 is also the farthest out of the three controllers, as it’s still in the planning stages at Realtek. Consequently, for the moment the company isn’t offering any guidance on when the new controller will be ready. No doubt the company will have more to show off next year for Computex 2025.

Author: Tom’s Hardware

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